TH510系列半導體C-V特性分析儀是常州同惠電子根據(jù)當前半導體功率器件發(fā)展趨勢，針對半導體材料及功率器件設(shè)計的分析儀器。

儀器采用了一體化集成設(shè)計，二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導體功率器件寄生電容、CV特性可一鍵測試，無需頻繁切換接線及設(shè)置參數(shù)，單管功率器件及模組功率器件均可一鍵快速測試，適用于生產(chǎn)線快速測試、自動化集成。

CV曲線掃描分析能力亦能滿足實驗室對半導體材料及功率器件的研發(fā)及分析。

儀器設(shè)計頻率為1kHz-2MHz，VGS電壓可達±40V，VDS電壓可達±200V/±1500V/±3000V，足以滿足大多數(shù)功率器件測試。

功能特點

A.一體化測試，集成度高、體積小、效率高

一臺儀器內(nèi)置了LCR數(shù)字電橋、VGS電壓源、VDS電壓源、高低壓切換矩陣以及上位機軟件，將復雜的接線、繁瑣的操作集成在支持電容式觸摸的Linux系統(tǒng)內(nèi)，操作更簡單。特別適合產(chǎn)線快速化、自動化測試。

B.單管器件測試，10.1寸大屏，四種寄生參數(shù)同屏顯示，讓細節(jié)一覽無遺

MOSFET或IGBT最重要的四個寄生參數(shù)：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均可一鍵測試，10.1寸大屏可同時將測量結(jié)果、等效電路圖、分選結(jié)果等重要參數(shù)同時顯示，一目了然。

一鍵測試單管器件器件時，無需頻繁切換測試腳位、測量參數(shù)、測量結(jié)果，大大提高了測試效率。

C.列表測試，多個、多芯、模組器件測量參數(shù)同屏顯示

TH510系列半導體C-V特性分析儀支持最多6個單管器件、6芯器件或6模組器件測試，所有測量參數(shù)通過列表掃描模式同時顯示測試結(jié)果及判斷結(jié)果。

D.曲線掃描功能（選件）

在MOSFET的參數(shù)中，CV特性曲線也是一個非常重要的指標，如下圖

TH510系列半導體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析，可以以對數(shù)、線性兩種方式實現(xiàn)曲線掃描，可同時顯示多條曲線：同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線；同一Vg、不同參數(shù)多條曲線。

E.的接觸檢查（Contact）功能，提前排除自動化測試隱患

F.的快速通斷測試（OP_SH）,排除損壞器件

在半導體器件特性測試時，由于半器件本身是損壞件，特別是多芯器件其中一個芯已經(jīng)損壞的情況下，測試雜散電容仍有可能被為合格，而半導體器件的導通特性才是最重要的特性。

因此，對于本身導通特性不良的產(chǎn)品進行C-V特性測試是沒有必要的，不僅僅浪費了測量時間，同時會由于C-V合格而混雜在良品里，導致成品出貨后被退回帶來損失.

TH510系列半導體C-V特性分析儀提供了快速通斷測試（OP_SH）功能,可用于直接判斷器件本身導通性能。

G.模組式器件設(shè)置，支持定制

針對模組式器件如雙路（Dual）MOSFET、多組式IGBT，有些器件會有不同類型芯片混合式封裝;TH510系列CV特性分析儀針對此情況做了優(yōu)化，常見模組式芯片Demo已內(nèi)置，特殊芯片支持定制.

H.簡單快捷設(shè)置

I.10檔分選及可編程HANDLER接口

J.支持定制化，智能固件升級方式

同惠儀器對于客戶而言是開放的，儀器所有接口、指令集均為開放設(shè)計，客戶可自行編程集成或進行功能定制，定制功能若無硬件更改，可直接通過固件升級方式更新。

儀器本身功能完善、BUG解決、功能升級等，都可以通過升級固件(Firmware)來進行更新，而無需返廠進行。

固件升級非常智能，可以通過系統(tǒng)設(shè)置界面或者文件管理界面進行，智能搜索儀器內(nèi)存、外接優(yōu)盤甚至是局域網(wǎng)內(nèi)升級包，并自動進行升級

K.技術(shù)解決Ciss、Coss、Crss、Rg產(chǎn)線/自動化系統(tǒng)高速測試精度

同惠電子在電容測試行業(yè)近30年的經(jīng)驗積累，得以在產(chǎn)線、自動化測試等高速高精度測試場合，都能保證電容、電阻等測試精度。

常規(guī)產(chǎn)線測試，提供標準0米測試夾具，直插器件可直接插入進行測試，Ciss、Coss、Crss、Rg測試精度高。

針對自動化測試，由于自動化設(shè)備測試工裝通常需要較長連接線，大多自動化設(shè)備生產(chǎn)商在延長測試線時會帶來很大的精度偏差，為此，同惠設(shè)計了的2米延長線并內(nèi)置了2米校準，保證Ciss、Coss、Crss、Rg測試精度和0米測試夾具一致。

L.半導體元件寄生電容知識

在高頻電路中，半導體器件的寄生電容往往會影響半導體的動態(tài)特性，所以在設(shè)計半導體元件時需要考慮下列因數(shù)

在高頻電路設(shè)計中往往需要考慮二極管結(jié)電容帶來的影響；MOS管的寄生電容會影響管子的動作時間、驅(qū)動能力和開關(guān)損耗等多方面特性；寄生電容的電壓依賴性在電路設(shè)計中也是至關(guān)重要，以MOSFET為例。

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